HPE SmartMemory 32GB P64706-B21

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  • PCS8833053
  • HP ENTERPRISE
  • P64706-B21
  • 0190017679877
Wurde Ihr Server mit dem erforderlichen Arbeitsspeicher konfiguriert, damit er auch bei... mehr

HPE P64706-B21, 32 GB, 1 x 32 GB, DDR5, 2800 MHz, 288-pin DIMM

Produktinformationen "HPE SmartMemory 32GB P64706-B21"
HPE SmartMemory - DDR5 - Modul - 32 GB - DIMM 288-PIN - 5600 MHz / PC5-44800 - CL46 - 1.1 V - registriert - ECC

Wurde Ihr Server mit dem erforderlichen Arbeitsspeicher konfiguriert, damit er auch bei anspruchsvolleren Anforderungen die erwartete Leistung bietet? HPE DDR5 Smart Memory wurde für kleine bis große Unternehmenskunden entwickelt, die auf ein hohes Maß an Leistung und Kapazität angewiesen sind und die Gesamtbetriebskosten im Rahmen halten möchten. HPE DDR5 Smart Memory ermöglicht die Optimierung vom gesamten Server Memory, wird mit einer sehr hohen Durchsatzgeschwindigkeit ausgeführt und zählt zu den energieeffizientesten Systemen im Markt. Neben Leistung und Effizienz zeichnet sich HPE DDR5 Smart Memory auch durch hohe Zuverlässigkeit aus. Top-Lieferanten entscheiden sich ausschließlich für die qualitativ hochwertigsten DRAM-Module. Die Qualität von DRAM-Modulen ist heute wichtiger als je zuvor, da Trends in Rechenzentren, wie Servervirtualisierung, Cloud Computing und die Verwendung großer Datenbankanwendungen, den Bedarf an Arbeitsspeicher mit mehr Kapazität und Verfügbarkeit erhöht haben. HPE DDR5 Smart Memory durchläuft strenge Zertifizierungs- und Testverfahren, die Arbeitsspeicher-Leistungsfunktionen ermöglichen, welche ausschließlich mit HPE Servern erhältlich sind.
HPE P64706-B21. Komponente für: PC / Server, Speicherkapazität: 32 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 32 GB, Interner Speichertyp: DDR5, Speichertaktfrequenz: 2800 MHz, Memory Formfaktor: 288-pin DIMM, CAS Latenz: 45
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Kapazität32 GB
ErweiterungstypSystemspezifisch
TypDRAM Speichermodul
TechnologieDDR5 SDRAM
FormfaktorDIMM 288-PIN
Geschwindigkeit5600 MHz (PC5-44800)
LatenzzeitenCL46 (46-45-45)
DatenintegritätsprüfungECC
BesonderheitenDual Rank, registriert
Chip-OrganisationX8
Spannung1.1 V

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