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- Artikel-Nr.: PCS1261483
- Hersteller : SAMSUNG
- Hersteller Nr. : M471B5273DH0-CH9
- EAN : 5711045764516
Produktinformationen "DDR3 SO-DIMM 4GB PC3-10667S CL9 Samsung M471B5273DH0-CH9"
Samsung - DDR3 - Modul - 4 GB - SO DIMM 204-PIN - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - ungepuffert - non-ECC
Kapazität: 4 GB,Erweiterungstyp: Generisch,Typ: DRAM Speichermodul,Technologie: DDR3 SDRAM,Formfaktor: SO DIMM 204-PIN,Geschwindigkeit: 1333 MHz (PC3-10600),Latenzzeiten: CL9 (9-9-9),Datenintegritätsprüfung: Non-ECC,Besonderheiten: Dual Rank, acht Bänke, ungepuffert,Modulkonfiguration: 512 x 64,Chip-Organisation: 256 x 8,Spannung: 1.5 V,Kennzeichnung: Bleifrei, halogenfrei
Kapazität: 4 GB,Erweiterungstyp: Generisch,Typ: DRAM Speichermodul,Technologie: DDR3 SDRAM,Formfaktor: SO DIMM 204-PIN,Geschwindigkeit: 1333 MHz (PC3-10600),Latenzzeiten: CL9 (9-9-9),Datenintegritätsprüfung: Non-ECC,Besonderheiten: Dual Rank, acht Bänke, ungepuffert,Modulkonfiguration: 512 x 64,Chip-Organisation: 256 x 8,Spannung: 1.5 V,Kennzeichnung: Bleifrei, halogenfrei
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Kapazität | 4 GB |
Erweiterungstyp | Generisch |
Typ | DRAM Speichermodul |
Technologie | DDR3 SDRAM |
Formfaktor | SO DIMM 204-PIN |
Geschwindigkeit | 1333 MHz (PC3-10600) |
Latenzzeiten | CL9 (9-9-9) |
Datenintegritätsprüfung | Non-ECC |
Besonderheiten | Dual Rank, acht Bänke, ungepuffert |
Modulkonfiguration | 512 x 64 |
Chip-Organisation | 256 x 8 |
Spannung | 1.5 V |
Kennzeichnung | Bleifrei, halogenfrei |
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